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P型半导体硅芯片上，采用热氧化工艺生长一层厚度为50～100nm左右的SiO2层，然后再在其上蒸发一层钯金属薄膜，作为栅电极。SiO2层电容Cax是固定不变的，Si-SiO2界面电容Cx是外加电压的函数。所以总电容C是栅极偏压的函数。其函数关系称为该MOS管的C-U(电容-电压)特性。由于钯在吸附H2以后，会使钯的功函数降低。这将引起MOS管的C-U特性向负偏压方向平移，如图12-9所示。由此可测定H2的浓度。
3、Pd-MOSFET气敏器件 这种器件是利用MOS场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压的变化做成的半导体气敏器件。Pd-MOSFET (责任编辑：传感器) |