一级封装霍尔效应传感器由一半导体薄片材料做成,能对垂直于该薄片的一个磁通量产生高电平或低电平输出。潜在应用很多,包括速度和转速(RPM)感应、直流无刷电机、以及风扇、电机、机器人等。
SS526DT系列霍尔效应位置传感器数据参数
系列 |
SS526DT |
描述 |
双极锁存、双霍尔效应数字式位置传感器,速度和方向输出 |
磁执行类型 |
双极锁存 |
封装材料和类型 |
塑料表面安装(SOT-89封装) |
供电电压范围 |
3.8Vdc至30Vdc |
供电电流 |
7.5mA(最大) |
输出类型 |
双路沉电流输出 |
工作温度范围 |
-40℃至125℃ |
尺寸(高x宽) |
4.2毫米 x 4.5毫米 |
SS526DT系列霍尔效应位置传感器优势特点
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每个小型塑封内包括2个独立霍尔传感器
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频率速度输出
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逻辑电平(高或低)方向输出
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温度补偿磁特性
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2个独立霍尔功能加逻辑电路运算
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相对于零点对称的动作/释放点(双极锁存)
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低功耗(常温下7.5mA)
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宽工作电压范围(3.8~30VDC)
SS526DT系列霍尔效应位置传感器应用范围
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防夹电动马达控制系统,用于电动门窗,电动椅(头枕)、电动滑门、电动天窗、仓库开门
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电子驾驶系统磁编码
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滑轮、皮带的运动控制
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位置、皮带的运动控制
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位置和速度检测
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风扇控制
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旋转轴监测
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线性位移测量(异性磁极相间的磁带)