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SS526DT霍尔效应位置传感器
产品简介
霍尼韦尔SS526DT霍尔效应位置传感器一级封装霍尔效应传感器由一半导体薄片材料做成,能对垂直于该薄片的一个磁通量产生高电平或低电平输出。
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产品介绍

一级封装霍尔效应传感器由一半导体薄片材料做成,能对垂直于该薄片的一个磁通量产生高电平或低电平输出。潜在应用很多,包括速度和转速(RPM)感应、直流无刷电机、以及风扇、电机、机器人等。 

SS526DT系列霍尔效应位置传感器数据参数

系列 SS526DT
描述 双极锁存、双霍尔效应数字式位置传感器,速度和方向输出
磁执行类型 双极锁存
封装材料和类型 塑料表面安装(SOT-89封装)
供电电压范围 3.8Vdc至30Vdc
供电电流 7.5mA(最大)
输出类型 双路沉电流输出
工作温度范围 -40℃至125℃
尺寸(高x宽) 4.2毫米 x 4.5毫米

SS526DT系列霍尔效应位置传感器优势特点

  • 每个小型塑封内包括2个独立霍尔传感器
  • 频率速度输出
  • 逻辑电平(高或低)方向输出
  • 温度补偿磁特性
  • 2个独立霍尔功能加逻辑电路运算
  • 相对于零点对称的动作/释放点(双极锁存)
  • 低功耗(常温下7.5mA)
  • 宽工作电压范围(3.8~30VDC)

SS526DT系列霍尔效应位置传感器应用范围

  • 防夹电动马达控制系统,用于电动门窗,电动椅(头枕)、电动滑门、电动天窗、仓库开门
  • 电子驾驶系统磁编码
  • 滑轮、皮带的运动控制
  • 位置、皮带的运动控制
  • 位置和速度检测
  • 风扇控制
  • 旋转轴监测
  • 线性位移测量(异性磁极相间的磁带)

 

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